விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  C3M™
• தொகுப்பு
  Tube
• பகுதி நிலை
  Active
• அடி வகை
  N-Channel
• தொழில்நுட்பம்
  SiCFET (Silicon Carbide)
• மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
  1200 V
• தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
  100A (Tc)
• இயக்கி மின்னழுத்தம் (அதிகபட்ச rds ஆன், குறைந்தபட்ச rds ஆன்)
  15V
• rds on (max) @ id, vgs
  28.8mOhm @ 50A, 15V
• vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
  3.6V @ 17.7mA
• கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
  162 nC @ 15 V
• vgs (அதிகபட்சம்)
  +15V, -4V
• உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
  4818 pF @ 1000 V
• அடி அம்சம்
  -
• சக்திச் சிதறல் (அதிகபட்சம்)
  469W (Tc)
• இயக்க வெப்பநிலை
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• பெருகிவரும் வகை
  Through Hole
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  TO-247-4L
• தொகுப்பு / வழக்கு
  TO-247-4