SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3

உற்பத்தியாளர்

Vishay / Siliconix

தயாரிப்பு வகை

டிரான்சிஸ்டர்கள் - fets, mosfets - வரிசைகள்

விளக்கம்

MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

விவரக்குறிப்புகள்

  • தொடர்
    TrenchFET®
  • தொகுப்பு
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • பகுதி நிலை
    Active
  • அடி வகை
    2 N-Channel (Dual)
  • அடி அம்சம்
    Logic Level Gate
  • மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
    100V
  • தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
    1.8A
  • rds on (max) @ id, vgs
    195mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
    3.5V @ 250µA
  • கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
    8nC @ 10V
  • உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
    -
  • சக்தி - அதிகபட்சம்
    1.3W
  • இயக்க வெப்பநிலை
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • பெருகிவரும் வகை
    Surface Mount
  • தொகுப்பு / வழக்கு
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
    PowerPAK® 1212-8 Dual

SI7922DN-T1-GE3 ஒரு மேற்கோளைக் கோரவும்

கையிருப்பில் 11668
அளவு:
யூனிட் விலை (குறிப்பு விலை):
1.85000
இலக்கு விலை:
மொத்தம்:1.85000

தரவுத்தாள்