விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  HEXFET®
• தொகுப்பு
  Tube
• பகுதி நிலை
  Obsolete
• அடி வகை
  N and P-Channel
• அடி அம்சம்
  Logic Level Gate
• மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
  30V
• தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
  3.5A, 2.3A
• rds on (max) @ id, vgs
  100mOhm @ 2.2A, 10V
• vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
  1V @ 250µA
• கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
  14nC @ 10V
• உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
  190pF @ 15V
• சக்தி - அதிகபட்சம்
  2W
• இயக்க வெப்பநிலை
  -
• பெருகிவரும் வகை
  Surface Mount
• தொகுப்பு / வழக்கு
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  8-SO