விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  BIMOSFET™
• தொகுப்பு
  Tube
• பகுதி நிலை
  Not For New Designs
• igbt வகை
  -
• மின்னழுத்தம் - சேகரிப்பான் உமிழ்ப்பான் முறிவு (அதிகபட்சம்)
  3600 V
• தற்போதைய - சேகரிப்பான் (ஐசி) (அதிகபட்சம்)
  70 A
• தற்போதைய - சேகரிப்பான் துடிப்பு (ஐசிஎம்)
  420 A
• vce(on) (அதிகபட்சம்) @ vge, ic
  2.9V @ 15V, 50A
• சக்தி - அதிகபட்சம்
  290 W
• ஆற்றல் மாறுகிறது
  -
• உள்ளீடு வகை
  Standard
• வாயில் கட்டணம்
  210 nC
• td (ஆன்/ஆஃப்) @ 25°c
  46ns/205ns
• சோதனை நிலை
  960V, 50A, 5Ohm, 15V
• தலைகீழ் மீட்பு நேரம் (டிஆர்ஆர்)
  1.7 µs
• இயக்க வெப்பநிலை
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• பெருகிவரும் வகை
  Through Hole
• தொகுப்பு / வழக்கு
  i4-Pac™-5 (3 Leads)
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  ISOPLUS i4-PAC™