விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  eGaN®
• தொகுப்பு
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• பகுதி நிலை
  Active
• அடி வகை
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• அடி அம்சம்
  GaNFET (Gallium Nitride)
• மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
  100V
• தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds on (max) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• சக்தி - அதிகபட்சம்
  -
• இயக்க வெப்பநிலை
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• பெருகிவரும் வகை
  Surface Mount
• தொகுப்பு / வழக்கு
  9-VFBGA
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  9-BGA (1.35x1.35)