விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  -
• தொகுப்பு
  Tube
• பகுதி நிலை
  Active
• அடி வகை
  N-Channel
• தொழில்நுட்பம்
  SiCFET (Silicon Carbide)
• மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
  1200 V
• தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
  10A (Tc)
• இயக்கி மின்னழுத்தம் (அதிகபட்ச rds ஆன், குறைந்தபட்ச rds ஆன்)
  18V
• rds on (max) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
  4V @ 900µA
• கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (அதிகபட்சம்)
  +22V, -6V
• உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
  463 pF @ 800 V
• அடி அம்சம்
  -
• சக்திச் சிதறல் (அதிகபட்சம்)
  85W (Tc)
• இயக்க வெப்பநிலை
  175°C (TJ)
• பெருகிவரும் வகை
  Through Hole
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  TO-247
• தொகுப்பு / வழக்கு
  TO-247-3