KSH45H11TM

KSH45H11TM

உற்பத்தியாளர்

Rochester Electronics

தயாரிப்பு வகை

டிரான்சிஸ்டர்கள் - இருமுனை (bjt) - ஒற்றை

விளக்கம்

POWER BIPOLAR TRANSISTOR

விவரக்குறிப்புகள்

  • தொடர்
    -
  • தொகுப்பு
    Bulk
  • பகுதி நிலை
    Active
  • டிரான்சிஸ்டர் வகை
    PNP
  • தற்போதைய - சேகரிப்பான் (ஐசி) (அதிகபட்சம்)
    8 A
  • மின்னழுத்தம் - சேகரிப்பான் உமிழ்ப்பான் முறிவு (அதிகபட்சம்)
    80 V
  • vce செறிவு (அதிகபட்சம்) @ ib, ic
    1V @ 400mA, 8A
  • தற்போதைய - சேகரிப்பான் வெட்டு (அதிகபட்சம்)
    10µA
  • dc தற்போதைய ஆதாயம் (hfe) (நிமிடம்) @ ic, vce
    60 @ 2A, 1V
  • சக்தி - அதிகபட்சம்
    1.75 W
  • அதிர்வெண் - மாற்றம்
    40MHz
  • இயக்க வெப்பநிலை
    150°C (TJ)
  • பெருகிவரும் வகை
    Surface Mount
  • தொகுப்பு / வழக்கு
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
    TO-252-3 (DPAK)

KSH45H11TM ஒரு மேற்கோளைக் கோரவும்

கையிருப்பில் 30323
அளவு:
யூனிட் விலை (குறிப்பு விலை):
0.34000
இலக்கு விலை:
மொத்தம்:0.34000

தரவுத்தாள்