விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  HEXFET®
• தொகுப்பு
  Bulk
• பகுதி நிலை
  Active
• அடி வகை
  2 N-Channel (Dual)
• அடி அம்சம்
  Logic Level Gate
• மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
  12V
• தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
  10A
• rds on (max) @ id, vgs
  15mOhm @ 8A, 4.5V
• vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
  2V @ 250µA
• கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
  26nC @ 4.5V
• உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
  1730pF @ 6V
• சக்தி - அதிகபட்சம்
  2W
• இயக்க வெப்பநிலை
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• பெருகிவரும் வகை
  Surface Mount
• தொகுப்பு / வழக்கு
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  8-SO