விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  HEXFET®
• தொகுப்பு
  Bulk
• பகுதி நிலை
  Active
• அடி வகை
  N-Channel
• தொழில்நுட்பம்
  MOSFET (Metal Oxide)
• மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
  25 V
• தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• இயக்கி மின்னழுத்தம் (அதிகபட்ச rds ஆன், குறைந்தபட்ச rds ஆன்)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
  2.1V @ 50µA
• கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (அதிகபட்சம்)
  ±16V
• உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• அடி அம்சம்
  -
• சக்திச் சிதறல் (அதிகபட்சம்)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• இயக்க வெப்பநிலை
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• பெருகிவரும் வகை
  Surface Mount
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  DIRECTFET™ S3C
• தொகுப்பு / வழக்கு
  DirectFET™ Isometric S3C