விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  CoolMOS™ C7
• தொகுப்பு
  Bulk
• பகுதி நிலை
  Active
• அடி வகை
  N-Channel
• தொழில்நுட்பம்
  MOSFET (Metal Oxide)
• மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
  650 V
• தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
  24A (Tc)
• இயக்கி மின்னழுத்தம் (அதிகபட்ச rds ஆன், குறைந்தபட்ச rds ஆன்)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  105mOhm @ 8.9A, 10V
• vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
  4V @ 440µA
• கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
  35 nC @ 10 V
• vgs (அதிகபட்சம்)
  ±20V
• உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
  1.67 pF @ 400 V
• அடி அம்சம்
  -
• சக்திச் சிதறல் (அதிகபட்சம்)
  156W (Tc)
• இயக்க வெப்பநிலை
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• பெருகிவரும் வகை
  Surface Mount
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  PG-HSOF-8-2
• தொகுப்பு / வழக்கு
  8-PowerSFN