விவரக்குறிப்புகள்

• தொடர்
  HEXFET®
• தொகுப்பு
  Bulk
• பகுதி நிலை
  Active
• அடி வகை
  N-Channel
• தொழில்நுட்பம்
  MOSFET (Metal Oxide)
• மூல மின்னழுத்தத்திற்கு வடிகால் (vdss)
  55 V
• தற்போதைய - தொடர்ச்சியான வடிகால் (ஐடி) @ 25°c
  42A (Tc)
• இயக்கி மின்னழுத்தம் (அதிகபட்ச rds ஆன், குறைந்தபட்ச rds ஆன்)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  8mOhm @ 42A, 10V
• vgs(th) (அதிகபட்சம்) @ ஐடி
  3V @ 250µA
• கேட் கட்டணம் (qg) (அதிகபட்சம்) @ vgs
  66 nC @ 5 V
• vgs (அதிகபட்சம்)
  ±16V
• உள்ளீடு கொள்ளளவு (சிஸ்) (அதிகபட்சம்) @ vds
  2.9 pF @ 25 V
• அடி அம்சம்
  -
• சக்திச் சிதறல் (அதிகபட்சம்)
  130W (Tc)
• இயக்க வெப்பநிலை
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• பெருகிவரும் வகை
  Surface Mount
• சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
  D-Pak
• தொகுப்பு / வழக்கு
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63