FF200R17KE3HOSA1

FF200R17KE3HOSA1

உற்பத்தியாளர்

IR (Infineon Technologies)

தயாரிப்பு வகை

டிரான்சிஸ்டர்கள் - igbts - தொகுதிகள்

விளக்கம்

IGBT MOD 1700V 310A 1250W

விவரக்குறிப்புகள்

  • தொடர்
    C
  • தொகுப்பு
    Bulk
  • பகுதி நிலை
    Active
  • igbt வகை
    Trench Field Stop
  • கட்டமைப்பு
    Half Bridge
  • மின்னழுத்தம் - சேகரிப்பான் உமிழ்ப்பான் முறிவு (அதிகபட்சம்)
    1700 V
  • தற்போதைய - சேகரிப்பான் (ஐசி) (அதிகபட்சம்)
    310 A
  • சக்தி - அதிகபட்சம்
    1250 W
  • vce(on) (அதிகபட்சம்) @ vge, ic
    2.45V @ 15V, 200A
  • தற்போதைய - சேகரிப்பான் வெட்டு (அதிகபட்சம்)
    3 mA
  • உள்ளீட்டு கொள்ளளவு (சி) @ vce
    18 nF @ 25 V
  • உள்ளீடு
    Standard
  • என்டிசி தெர்மிஸ்டர்
    No
  • இயக்க வெப்பநிலை
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • பெருகிவரும் வகை
    Chassis Mount
  • தொகுப்பு / வழக்கு
    Module
  • சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு
    Module

FF200R17KE3HOSA1 ஒரு மேற்கோளைக் கோரவும்

கையிருப்பில் 1137
அளவு:
யூனிட் விலை (குறிப்பு விலை):
157.31000
இலக்கு விலை:
மொத்தம்:157.31000

தரவுத்தாள்